NP2312MR n沟道增强型MOSFET概述
描述
np2312使用先进的海沟技术提供优秀的rds(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
一般特征
vds =20v，id = 6
ds(上)(typ) = 13.5 mΩ @vgs = 4.5 v
r ds(上)(typ) = 17 mΩ @vgs= 2.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
应用程序
pwm 应用 程序
load 开关
封装
sot-23-3l
原理图
标记和引脚分配
订购信息
典型的性能特征
KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵,并将其继续发扬光大
synchronized 的几种错误用法
行波管功率放大器是什么？
空压机有油和无油的哪个好
泰华电子成功入选湖北省专精特新小巨人企业
NP2312MR n沟道增强型MOSFET概述
三相平衡什么意思
浅谈人工智能当前发展的阶段以及未来的方向
研究团队开发混合型太阳能转换器，可高效率低成本产生电力和蒸汽
一文解析齐平电路技术和嵌入式电路工艺
手持式蓄电池内导测试仪介绍
关于AGM Systems推出的无人机测绘解决方案浅析
航空插头简介
永磁无刷直流电机控制的实现过程
芯片英文缩写的介绍
英伟达GPU打入芯片制造领域，cuLitho让光刻性能提升40倍！黄仁勋：我们正处在AI的iPhone时刻
讨论SERIALTEK公司发布PCIE GEN5 X16协议分析仪的性能与结构与应用领域
霍尔电流传感器在直流电流检测中的应用
英特尔希望跟业界合作伙伴共同致力和推动边缘计算的发展
安森美半导体在CES 2017展示用于快速充电和高速数据传输的全面的USB Type-C方案
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