SK海力士宣布推出全球首款4D闪存，已经推进到了128层堆叠
正在美举办的flash memory summit首日已经结束，亮点颇多。
keynote环节，倒数第二个出场（排在我国的长江存储前）的是sk海力士，它在nand市场的全球份额排名第五，dram份额全球第二。
首先是3d nand的技术路线选择，sk海力士称，ctf（charge trap flash，电荷捕获型）比floating gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（p／e次数多）。
其实三星从2013年的第一代v－nand 3d闪存就开始使用ctf了，东芝／西数（闪迪）的bics亦是如此。当然，美光／intel还是坚持浮栅，不过这倒无所谓，毕竟他们有更厉害的3d xpoint（基于相变内存，还一说是reram磁阻式内存）。
接下来，sk海力士宣布推出了全球首款4d闪存。
从现场给出的技术演示来看，4d闪存和此前长江存储的xtacking十分相似，只不过外围电路（puc，peri．circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
参数方面，号称业内第一款4d闪存是v5 512gb tlc，采用96层堆叠、i／o接口速度1．2gbps（onfi 4．1标准）、面积13平方毫米，今年第四季度出样。
bga封装的可以做到1tb（128gb），模组最大2tb，塞到2．5寸的u．2中更是可以做到64tb，2019年上半年出样。
性能方面，v5 4d芯片面积相较于v4 3d减小20％、读速提升30％、写速提升25％。
另外，v5 4d也规划了qlc闪存，通过96层堆叠，单die最小1tb，明年下半年出样。
展望
sk海力士内部的4d闪存已经推进到了128层堆叠，很快可以做到单芯片512gb，2025年做到单芯片8tb。目前，sk海力士的3d nand是72层堆叠，单芯片最大512gb（64gb），首款企业级产品pe4010已于今年6月份出货给微软azure服务器。
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另外，v5 4d也规划了qlc闪存，通过96层堆叠，单die最小1tb，明年下半年出样。
展望
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