深度剖析MOS管的分类
mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），可以被制构成增强型或耗尽型，p沟道或n沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的n沟道mos管和增强型的p沟道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（jfet）和绝缘栅场效应管（mos管）两大类。
一、结型场效应管（jfet）
1.结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是n沟道结型场效应管和p沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个pn结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以n沟道结型场效应管为例)，n沟道结构型场效应管的结构及符号，由于pn结中的载流子已经耗尽，故pn基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ed一定时，如果栅极电压越负，pn结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流id就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，id变大，所以用栅极电压eg可以控制漏极电流id的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
二、绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（mos管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是n沟道型和p沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称mos场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以n沟道增强型mos场效应管)它是利用ugs来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的n区接通，形成了导电沟道，即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
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2、结型场效应管的工作原理(以n沟道结型场效应管为例)，n沟道结构型场效应管的结构及符号，由于pn结中的载流子已经耗尽，故pn基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ed一定时，如果栅极电压越负，pn结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流id就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，id变大，所以用栅极电压eg可以控制漏极电流id的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
二、绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（mos管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是n沟道型和p沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称mos场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以n沟道增强型mos场效应管)它是利用ugs来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的n区接通，形成了导电沟道，即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
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