东芝展出新款超结构造MOSFET 缩短内置二极管反向恢复时间
东芝开发出提高了内置二极管（体二极管）恢复特性的超结（super junction）构造mosfet“dtmos”，并在2013年5月14～16日于德国纽伦堡举行的功率电子技术大会“pcim 2013”上进行了展示。新产品的耐压为600v，与该公司原产品相比，缩短了内置二极管的反向恢复时间（trr）。
此次东芝展出了三款开发产品，包括最大电流为15.8a、导通电阻为0.23ω的“tk16a60w5”；最大电流为30.8a、导通电阻为0.099ω的“tk31a60w5”；以及最大电流为38.8a、导通电阻为0.074ω的“tk39a60w5”。
内置二极管的反向恢复时间方面，tk16a60w5为100ns（标称值），而东芝的原产品则为280ns。新产品的温度特性也进一步提高，在150℃的温度下工作时，反向恢复时间为140ns。据解说员介绍，“其他公司产品的反向恢复时间大都在160ns左右”。
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此次东芝展出了三款开发产品，包括最大电流为15.8a、导通电阻为0.23ω的“tk16a60w5”；最大电流为30.8a、导通电阻为0.099ω的“tk31a60w5”；以及最大电流为38.8a、导通电阻为0.074ω的“tk39a60w5”。
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