NAND闪存和DRAM市况不同调，内存事业可望在第2季维持强势表现
内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析，储存型闪存（nand flash）和dram市况不同调 。
三星和美光同指本季nand价格持续下探，但dram价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下，价格将持稳到年底。
全球内存龙头三星半导体事业部日前在提出第2季展望时指出，内存事业可望在第2季维持强势表现，不过，本季nand报价将呈现疲软，但服务器、移动dram需求将会续强，且主流高容量dram订单也将会走高。
三星在全球nand flash和dram市占率都居领先地位，其中dram市占率达49%，具有价格主导地位，三星看淡nand flash价格走势，也反应nand flash随各家3d nand转换制程良率提升、产量提升，价格也陷入向下修正的压力；dram则因供需仍未失衡，且应用多元化，本季价格可望持续维持上涨。
内存大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦（wayne allan）则认为，受惠企业级线上交易、自驾车、云端大数据、网通、移动设备、物联网等六大领域对内存需求强劲，但供给端增幅有限，今年内存市况仍会健康稳健，其中dram价格可持稳到年底。
美光预估今年全球内存，dram年产量约增20%，nand flash产能约增45%。
艾伦强调，美光今年在nand flash产能年增率将超过45%，高于产业平均数，凸显美光也是持续拉升nand flash产出。
闪存控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章则分析，今年上半年闪存供过于求压力大，本季跌势将扩大，不过随主要品牌手机厂下半年推出新机，增加闪存搭载量，第3季价格可望止跌。
但他强调， 国际大厂如三星、sk海力士、东芝及威腾（wd）、英特尔及美光等全力扩充产能，今年底96层或qlc规格3d nand产能将大量开出，上半年价格压力较大，明年加上中国大陆紫光集团旗下长的长江存储产能开出，供给量更大，恐再加重明年nand flash跌势。
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