宝砾微MOS管 PL0807N10 DFN5*6 100V/74.4A N沟道MOSFET
应用领域：
dc-dc转换
smps中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
概述：
pl0807n10是宝砾微推出的漏源电压100v的n沟道功率mosfet。产品采用dfn5* 6mm封装，经过100％的uis测试，100％的rg测试，安全性能较好。产品适用于dc-dc转换、smps中的同步整流和电机控制等。最大额定值参数，25℃下的连续漏*电流74a。脉冲漏*电流高达260a。单脉冲雪崩能量为245mj。耗散功率为83w。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为1.5℃/w，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为6.5mω(vgs=10v)。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为40ns，产品响应快。
产品特点：
高速电源开关，逻辑电平
较强的体二极管dv/dt能力
较强的雪崩强度
经过100％的uis测试，100％的rg测试
无铅，无卤素
dfn5* 6mm封装
深圳市芯美力科技有限公司
宝砾微原厂代理，可提供样品测试和技术支持，欢迎联系咨询
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