PN结的原理和单向导电性

pn结的原理
采用不同的掺杂工艺将p型半导体和n型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成了pn结, pn结具有单向导电性 。
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。p区的空穴向n区扩散,n区的电子向p区扩散,在交界面形成电子-空穴复合对,于是形成空间电荷区/内电场/耗尽层 。随着扩散运动的进行 ,空间电荷区加宽 ,内电场增强,其方向由n区指向p区,正好阻止了扩散运动的进行。
在电场的作用下,载流子的运动称为漂移运动。当空间电荷区形成后,在内电场的作用下,少子产生漂移运动,空穴(带正电)从n区向p区运动,而自由电子(带负电)从p区向n区运动。在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成pn结。此时,空间电荷区(耗尽层)有一定的厚度,电位差为uho ,电流为0。
pn结的单向导电性
当pn结两端外加电压时就会破坏内部的平衡状态,扩散电流不再等于漂移电流,因而pn结将有电流流过。当外加电压极性不同时,pn结将表现出截然不同的导电性能,即呈现出单向导电性。
pn结外加正向电压时导通
当电源的正极接到pn结的p端,且电源的负极接到pn结的n端时,称pn结外加正向电压/偏置。此时外电场将多数载流子推向 空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,使得扩散运动加剧,漂移运动减弱。由于电源的作用,扩散运动将源源不断地进行,从而形成正向电流,pn结导通。pn结导通时的结压降只有零点几伏,因为应在它所在的回路中串联一个电阻,以限制回路的电流,防止pn结因正向电流过大而损坏。
pn结外加反向电压时截止
当电源的正极接到pn结的n端,且电源的负极接到pn结的p端时,称pn结外加反向电压/偏置。外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动的进行,加剧漂移运动的进行,形成反向电流(漂移电流)。因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与漂移运动,反向电流也非常小,所以在近似分析中认为,pn结外加反向电压时处于截止状态 。
pn结的伏安特性
pn结所加的端电压u与流过它的电流i的关系为:
第一象限特性应用:发光二极管(light emitting diode,led)
led是一种能将电能转换为光能的半导体器件,给led加正向偏压就会发光,它的开启电压比普通二极管的大,红色的在1.6v~1.8v之间,绿色的约为2v,正向电流越大,发光越强。
led辐射光的峰值波长决定于材料的禁带宽度eg,即:
其峰值波长范围为255~1670 nm。
led没有谐振腔,是基于自发辐射,发出的是荧光,是非相干光;
ld的发光基于 受激辐射 ,发出的光是相干光-激光。
第三象限特性应用:光电探测器
光电二极管是一种将光能与电能进行转换的器件,pn结型光电二极管利用其光敏特性,将接收到的光的变化转换为电能的变化。在无光照时,与普通二极管一样,具有单向导电性。外加正向偏压时,电流与端电压成指数关系;外加反向偏压时,反向电流称为
暗电流 ,通常小于0.2
μa。在有光照时,特性曲线下移。光电二极管在反向偏压下受到光照而产生的电流称为光电流,光电流受入射照度的控制。照度一定时,光电二极管可等效成恒流源。照度越大,光电流越大,在光电流为大于几十微安时,与照度成线性关系 。
第四象限特性应用:微型光电池
当r一定时,入射照度越大,i越大,r上获得的能量也越大,此时光电二极管作为微型光电池。

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